霍尼韋爾 AWM40000 系列放大氣體質(zhì)量流量傳感器

微橋氣體質(zhì)量流量傳感器的工作原理是熱傳遞。氣體質(zhì)量流量經(jīng)引導(dǎo)流過(guò)傳感元件的表面。輸出電壓與流過(guò)封裝進(jìn)出口的空氣或其他氣體質(zhì)量成正比。特殊設(shè)計(jì)的外殼精確地引導(dǎo)和控制氣流流過(guò)微結(jié)構(gòu)傳感元件。封裝的機(jī)械設(shè)計(jì)能夠輕松將其安裝在印刷電路板上。

微橋氣體質(zhì)量流量傳感器內(nèi)含一塊獨(dú)特的基于先進(jìn)微結(jié)構(gòu)技術(shù)的硅芯片。該芯片采用薄膜和絕熱橋結(jié)構(gòu)，內(nèi)含加熱器和溫度傳感元件。橋結(jié)構(gòu)能夠快速靈敏地響應(yīng)流過(guò)芯片的空氣或其他氣體氣流。中心加熱元件兩側(cè)的雙傳感元件還能指示氣流流過(guò)的方向和速率。激光修正的厚膜和薄膜電阻保證了從每個(gè)傳感器之間始終具有一致的可互換性。

微橋氣體質(zhì)量流量傳感器利用包裹在氮化硅薄膜中的熱電阻。這些電阻呈懸浮狀態(tài)，在硅片的刻蝕腔上方形成兩座橋。芯片置于精確規(guī)格的氣流通道，提供可重復(fù)的流量響應(yīng)。通過(guò)在流量傳感橋下刻蝕空腔，發(fā)熱器和傳感電阻能實(shí)現(xiàn)高效的熱隔離。微橋式氣體質(zhì)量流量傳感器的小尺寸和熱隔離功能實(shí)現(xiàn)對(duì)氣流的極速響應(yīng)及高靈敏度。

惠斯通雙橋控制氣流測(cè)量——一個(gè)提供閉環(huán)發(fā)熱器控制，另一個(gè)包含雙感應(yīng)元件。加熱器電路通過(guò)提供與質(zhì)量流量成正比的輸出，最大程度地降低環(huán)境溫度變化導(dǎo)致的輸出變化。此電路可維持加熱器的溫度以高于環(huán)境溫度 (160 °C) 恒定溫差，而環(huán)境溫度則由芯片上的熱電阻測(cè)量得知。傳感器的輸出與電源電壓成比例，也與惠斯通電橋電路的差分電壓相對(duì)應(yīng)。

注意

最大程度地降低某些應(yīng)用中可能產(chǎn)生的灰塵污染的影響。經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)，氣流中可能存在的塵粒將平行于芯片表面流過(guò)芯片。另外，微結(jié)構(gòu)芯片產(chǎn)生的熱遷移效應(yīng)能移走橋結(jié)構(gòu)上的微米級(jí)塵粒。

可使用簡(jiǎn)單的過(guò)濾網(wǎng)，防止粉塵附著在芯片邊緣和通道表面。在大多數(shù)應(yīng)用中，只要在氣流裝置的上游側(cè)串聯(lián)一只一次性的五微米過(guò)濾網(wǎng)，即可獲得充分的過(guò)濾效果。

注意：產(chǎn)品損傷

AWM 系列微橋式氣體質(zhì)量流量傳感器不適用于測(cè)量液體流量，液體流過(guò)傳感器時(shí)會(huì)損壞傳感器。

• 補(bǔ)償溫度范圍

• -25°C 至 85°C [-13°F 至 185°F]

• 流量/壓力范圍

• ±25 sccm

• ±1000 sccm (1 SLPM)

• 響應(yīng)時(shí)間

• 典型值 1 ms，最大 3 ms

• 電源電壓

• 最小 8.0 Vdc，典型值 10.0 Vdc，最大 15.0 Vdc

• UNSPSC 代碼

• 41111931

• 沖擊

• 100 g 峰值 (5 drops, 6 axes)

• 輸出溫漂

• ±6% 讀數(shù)

• ±2.5% 讀數(shù)

• 零位

• 0.0 mV dc ±1.5 mV dc

• 0.0 mV dc ±1.0 mV dc

• 端口類型

• 閥組

• 信號(hào)調(diào)節(jié)

• 非放大式 (mV)

• 可重復(fù)性

• ±0.35% 讀數(shù)

• ±0.50% 讀數(shù)

• UNSPSC 商品

• 41111931 流量傳感器

• 調(diào)整點(diǎn)的輸出電壓

• 1000 sccm (1 SLPM) 時(shí)為 54.7 mV dc ±3.7 mV dc

• 25 sccm 時(shí)為 8.5 mV dc ±1.5 mV dc

• 存儲(chǔ)溫度

• -40°C 至 125°C [-40°F 至 251°F]

• 介質(zhì)兼容性

• 僅干燥氣體

• 氫氣

• 重量

• 14 g

• 11 g

• 系列名稱

• AWM40000

• 工作溫度

• -40°C 至 125°C [-40°F 至 251°F]

• 功耗

• 最大 75 mW

• 最大值 60 mW

• 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的零位

• ±0.20 mV dc

• 共模壓力

• 150 psi

• 25 psi

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